경제타임스 전영진 기자 | SK하이닉스가 글로벌 낸드플래시 주요 기업인 샌디스크와 손잡고 차세대 스토리지 인터페이스인 HBF(High Bandwidth Flash)의 초기 표준 명세를 공식 공개했다. 인공지능(AI) 연산 처리 과정에서 발생하는 반도체 간 병목 현상을 해소하고 메모리와 스토리지 사이의 물리적 경계를 허물겠다는 전략이다.
8월4일(현지시간) 미국 산타클라라에서 열린 ‘FMS 2026’에서 SK하이닉스는 개방형 데이터센터 기술 협력체(OCP)를 통해 HBF 규격 표준안을 발표했다. 양사가 지난해 8월 기술 협력을 선언하고 올해 2월 컨소시엄을 구성을 마친 지 6개월 만에 거둔 첫 기술적 결실이다.
HBF는 고성능 메모리인 HBM과 대용량 저장장치인 SSD 사이에 위치하는 차세대 계층형 메모리 구조다. 낸드플래시를 기반으로 제작돼 대용량 구현이 용이하면서도, 고속 데이터 전송 속도를 확보해 AI 추론 알고리즘 가동 시 요구되는 막대한 데이터 입출력을 효율적으로 처리한다. 이번 표준안에서는 낸드 다이를 8단과 16단으로 적층해 최대 512GB의 용량을 구현하도록 정의했으며, 대역폭 역시 Grade 1부터 3까지 구분해 최소 0.4TB/s에서 최대 3.0TB/s 수준까지 지원한다.
특히 이기종 반도체 간 고속 연결을 지원하는 업계 표준 인터페이스인 UCIe(Universal Chiplet Interconnect Express)를 적용해 연산 장치와의 확장성을 극대화했다. 이를 통해 그래픽처리장치(GPU)나 중앙처리장치(CPU) 등 다양한 아키텍처 환경에서 별도의 칩셋 변환 없이 HBF를 직관적으로 결합해 가동할 수 있게 됐다.
현재 컨소시엄에는 구글과 텐스토렌트 등 글로벌 빅테크 및 반도체 설계 기업들이 연이어 합류하며 세를 확장하고 있다. 데이터센터와 대규모 AI 인프라 시장 내 표준 채택률을 조기에 끌어올리려는 포석으로 풀이된다.
SK하이닉스는 이번 행사 기간 중 차세대 낸드 기술력도 함께 선보인다. 개발 막바지 단계에 진입한 10세대(V10) 375단 4D 낸드 제품과 웨이퍼를 최초로 공개하며, 전작 대비 전력 대 성능비를 2.5배 높인 고성능 eSSD를 내년 초부터 양산할 계획이다.
김천성 SK하이닉스 부문장은 "AI 알고리즘 구동 환경이 점차 고도화됨에 따라 기존 단일 메모리 구조만으로는 데이터 처리 효율을 유지하기 어렵다"며 "HBF 표준화를 발판 삼아 메모리와 스토리지 영역을 유기적으로 연계하는 차세대 시스템 아키텍처 생태계를 구축하겠다"고 말했다.
