경제타임스 여원동 기자 | 삼성전자가 차세대 인공지능(AI) 가속기의 핵심 메모리인 'HBM4E(6세대 고대역폭 메모리) 12단' 샘플을 글로벌 고객사에 공급하며 고성능 반도체 시장의 주도권 굳히기에 돌입했다. 지난 2월 HBM4(5세대) 양산 출하에 성공한 지 불과 수개월 만에 차세대 제품까지 전격 공개하며 독보적인 기술 초격차를 입증했다.
이번에 선보인 HBM4E 12단 제품은 설계와 공정 최적화를 통해 성능을 대폭 끌어올린 것이 특징이다. 핀당 동작 속도는 최대 16Gbps를 지원하여 전작인 HBM4 대비 20% 이상 향상됐다. 단일 스택 기준으로 초당 3.6TB의 대역폭을 제공함으로써 대규모 언어 모델(LLM)을 비롯한 초고속 AI 연산 시스템의 병목 현상을 대폭 완화할 것으로 전망된다.
용량과 효율성 측면에서도 괄목할 만한 성장을 이뤄냈다. 단일 패키지 기준 48GB의 고용량을 구현해 전작 대비 집적도를 30% 이상 높였으며, 향후 고객사 요구에 맞춰 32GB(8단)부터 64GB(16단)까지 라인업을 촘촘히 확장할 계획이다. 특히 최선단 공정 기반의 1c 나노(10나노급 6세대) D램과 자체 파운드리의 4나노 로직 다이를 결합해 미세 공정의 안정성과 양산 수율을 동시에 확보했다.
저전력 설계 기술을 집약해 전작 대비 에너지 효율은 16% 개선됐고, 열 저항 특성은 14% 이상 향상되어 AI 데이터센터의 고질적인 발열 문제를 효과적으로 해결했다.
삼성전자는 메모리, 파운드리, 시스템LSI, 첨단 패키징을 아우르는 유일한 '원스톱 턴키(종합 생산) 솔루션'을 앞세워 공급 안정성을 극대화한다는 전략이다.
삼성전자 메모리사업부 개발담당 황상준 부사장은 “HBM4 양산 성공에 이어 차세대 HBM4E 샘플 공급까지 차질 없이 완수하며 독보적인 기술 리더십을 시장에 확실히 각인시켰다”며, “앞으로도 압도적인 기술 초격차와 선제적인 생산 인프라 투자를 바탕으로 글로벌 AI 메모리 시장의 성장을 강력하게 주도할 것”이라고 강조했다.
